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参数资料
| 型号： | SUM40N02-12P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM40N02-12P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
90
Output Characteristics
6V
90
Transfer Characteristics
T C = ? 55 _ C
75
V GS = 10 thru 7 V
75
60
45
30
15
0
5V
4V
3V
60
45
30
15
0
25 _ C
125 _ C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
50
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
Transconductance
0.040
0.035
V GS ? Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Drain Current
40
T C = ? 55 _ C
0.030
30
20
10
25 _ C
125 _ C
0.025
0.020
0.015
0.010
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.005
0
0.000
0
10
20
30
40
50
0
15
30
45
60
75
90
I D ? Drain Current (A)
I D ? Drain Current (A)
1500
1200
900
600
Capacitance
C iss
10
8
6
4
V DS = 10 V
I D = 40 A
Gate Charge
C oss
300
0
C rss
2
0
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
Document Number: 72111
S-42351—Rev. D, 20-Dec-04
Q g ? Total Gate Charge (nC)
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM60N02-3M9P-E3 | MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM40N03-30L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM40N03-30L-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM40N05-19L | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| SUM40N05-19L-E3 | 功能描述:MOSFET 55V 40A 65W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM40N10-30 | 功能描述:MOSFET 100V 40A 107W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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