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参数资料
| 型号： | SUM40N02-12P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM40N02-12P
Vishay Siliconix
THERMAL RATINGS
Maximum Avalanche and Drain Current
50
vs. Case Temperature
1000
Safe Operating Area
40
30
20
10
0
100
10
1
0.1
*Limited
by r DS(on)
T C = 25 _ C
Single Pulse
10, 100 m s
1 ms
10 ms
dc, 100 ms
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1 10 100
T C ? Ambient Temperature ( _ C)
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
*V GS u minimum V GS at which r DS(on) is specified
2
1
0.1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
0.02
Single Pulse
0.01
10 ? 4
10 ? 3
10 ? 2
10 ? 1
1
10
Square Wave Pulse Duration (sec)
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon Technology and
Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and reliability data, see
http://www.vishay.com/ppg?72111 .
Document Number: 72111
S-42351—Rev. D, 20-Dec-04
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM60N02-3M9P-E3 | MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM40N03-30L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM40N03-30L-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM40N05-19L | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| SUM40N05-19L-E3 | 功能描述:MOSFET 55V 40A 65W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM40N10-30 | 功能描述:MOSFET 100V 40A 107W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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