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参数资料
| 型号： | SUM33N20-60P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 59 毫欧 @ 20A，15V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2735pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM33N20-60P-E3DKR |
SUM33N20-60P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
15
25 °C, unless noted
2.9
12
V D S = 50 V, 100 V, 150V
I D = 50 A
2.4
I D = 20 A
V G S = 10 V
9
6
3
0
1.9
1.4
0.9
0.4
V G S = 15 V
0
16
3 2
4 8
64
8 0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
Q g - Tot a l G a te Ch a rge (nC)
Gate Charge
0.7
0.2
T J - J u nction Temper a t u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1
T J =150 °C
- 0. 3
I D = 5 mA
- 0. 8
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
- 1. 3
- 1. 8
- 2. 3
I D = 250 μ A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
250
240
2 3 0
V S D - S o u rce-to-Dr a in Volt a ge
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 10 mA
100
T J - Temper a t u re (°C)
Threshold Voltage
220
10
150 °C
25 °C
210
200
190
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
www.vishay.com
4
T J - J u nction Temper a t u re (°C)
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
t a v - ( S ec)
Single Pulse Avalanche
Current Capability vs. Time
Document Number: 74291
S-62209-Rev. A, 30-Oct-06
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