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参数资料
| 型号： | SUM33N20-60P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 59 毫欧 @ 20A，15V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2735pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM33N20-60P-E3DKR |
SUM33N20-60P
Vishay Siliconix
THERMAL RATINGS
40
100
*Limited b y r D S (on)
3 2
100 μs
10
24
1 m s
16
8
1
T C = 25 °C
S ingle P u l s e
10 m s
100 m s
DC
0
0.1
0
25
50
75
100
125
150
0.1
1 10
100
1000
1
0.1
0.01
T C - C as e Temper a t u re (°C)
Maximum Drain Curent vs.
Case Temperature
Duty Cycle = 0.5
0.2
0 .1
0.05
0.02
Single Pulse
V D S - Dr a in-to- S o u rce Volt a ge (V)
*V G S > minim u m V G S a t which r D S (on) i s s pecified
Safe Operating Area
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
Square Wave Pulse Duration (sec)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon Tech-
nology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and reliability
data, see http://www.vishay.com/ppg?74291
Document Number: 74291
S-62209-Rev. A, 30-Oct-06
www.vishay.com
5
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