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参数资料
| 型号： | SUM33N20-60P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 59 毫欧 @ 20A，15V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2735pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM33N20-60P-E3DKR |
SUM33N20-60P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless noted
100
8 0
8 0
60
40
V G S = 15, 12, 10, 8 , 6 V
64
4 8
3 2
T C = 125 °C
20
16
25 °C
5V
- 55 °C
0
0
0
3
6
9
12
15
0
2
4
6
8
10
120
100
8 0
V D S - Dr a in-to- S o u rce Volt a ge (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
25 °C
0.0 8 0
0.070
V G S - G a te-to- S o u rce Volt a ge (V)
Transfer Characteristics
60
40
125 °C
0.060
V G S = 10 V
V G S = 15 V
0.050
20
0
0.040
0
10
20
3 0
40
50
60
0
16
3 2
4 8
64
8 0
0.19
0.16
0.1 3
0.10
I D = 20 A
I D - Dr a in C u rrent (A)
Transconductance
125 °C
38 00
3 040
22 8 0
1520
I D - Dr a in C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
C i ss
0.07
25 °C
760
C r ss
C o ss
0.04
0
0
3
6
9
12
15
0
20
40
60
8 0
100
V G S - G a te-to- S o u rce Volt a ge (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 74291
S-62209-Rev. A, 30-Oct-06
V D S - Dr a in-to- S o u rce Volt a ge (V)
Capacitance
www.vishay.com
3
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