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参数资料
| 型号： | SUM110N10-09-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM110N10-09-E3DKR |
SUM110N10-09
Vishay Siliconix
THERMAL RATINGS
120
100
8 0
1000
100
Limited
10 μs
100 μ s
60
40
20
0
10
1
0.1
b y R DS(on)*
T C = 25 °C
Single P u lse
1 ms
10 ms
100 ms, DC
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
1000
2
1
0.1
0.01
T C - Am b ient Temperat u re (°C)
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
* V GS
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operatin g Area
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?70677 .
Document Number: 70677
S10-0644-Rev. G, 22-Mar-10
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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