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参数资料
| 型号： | SUM110N10-09-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM110N10-09-E3DKR |
SUM110N10-09
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
250
V GS = 10 V thr u 7 V
200
150
100
6 V
250
200
150
100
50
5 V
50
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
4 V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
250
200
V DS - Drain-to-So u rce V oltage
Output Characteristics
T C = - 55 °C
25 °C
0.015
0.012
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
150
100
50
0
125 °C
0.009
0.006
0.003
0.000
V GS = 10 V
0
20
40
60
8 0
100
120
0
20
40
60
8 0
100
120
10 000
8 000
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
C iss
20
16
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 50 V
I D = 8 5 A
6000
4000
2000
0
C rss
C oss
12
8
4
0
0
25
50
75
100
0
50
100
150
200
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
Document Number: 70677
S10-0644-Rev. G, 22-Mar-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Char g e
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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