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参数资料
| 型号： | SUM110P06-08L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 60V D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM110P06-08L-E3DKR |
SUM110P06-08L
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( Ω )
0.008 at V GS = - 10 V
- 60
0.0105 at V GS = - 4.5 V
I D (A) d
- 110
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Package with Low Thermal Resistance
? 100 % R g Tested
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
S
TO-263
G
G
D S
Top View
D
Ordering Information: SUM110P06-08L
SUM110P06-08L-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 60
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current d
(T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I D
I DM
- 110
- 75
- 200
A
272
Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
d
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C b
I AS
E AS
P D
- 85
211
c
3.75 b
mJ
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
PCB Mount
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
d
R thJA
R thJC
40
0.55
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
c. See SOA curve for voltage derating.
d. Limited by Package.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 73045
S-80273-Rev. B, 11-Feb-08
www.vishay.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM110P08-11-E3 | 功能描述:MOSFET 80V 110A 375W 11.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM110P08-11L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| SUM110P08-11L-E3 | 功能描述:MOSFET 80V 110A 375W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM110P08-11L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -80V 11A TO-263 |
| SUM1500RMXL2U | 功能描述:UPS - 不间断电源 APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 功率额定值: 输出电压额定值:24 V 出口数量:2 运行时间（满载）: 运行时间（半载）: |
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