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参数资料
| 型号： | SUM110P06-08L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 60V D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM110P06-08L-E3DKR |
SUM110P06-08L
Vishay Siliconix
THERMAL RATINGS
200
150
100
1000
100
10
Limited b y r DS(on)*
10 μ s
100 μ s
1 ms
Package Limited
10 ms
100 ms, DC
50
0
1
0.1
T C = 25 °C
Single P u lse
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
2
1
T C ? Case Temperat u re (°C)
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
D u ty Cycle = 0.5
* V GS
V DS ? Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich r DS(on) is specified
Safe Operating Area
0.2
N otes:
0.1
P DM
t 1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 62.5 °C/ W
3. T JM ? T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?73045.
Document Number: 73045
S-80273-Rev. B, 11-Feb-08
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM110P08-11-E3 | 功能描述:MOSFET 80V 110A 375W 11.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM110P08-11L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| SUM110P08-11L-E3 | 功能描述:MOSFET 80V 110A 375W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM110P08-11L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -80V 11A TO-263 |
| SUM1500RMXL2U | 功能描述:UPS - 不间断电源 APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 功率额定值: 输出电压额定值:24 V 出口数量:2 运行时间（满载）: 运行时间（半载）: |
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