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参数资料
| 型号： | SUM110P06-08L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 60V D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM110P06-08L-E3DKR |
SUM110P06-08L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
200
160
120
8 0
V GS = 10 thr u 5 V
4 V
200
160
120
8 0
40
40
T C = 125 °C
25 °C
0
3 V
0
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
200
V DS ? Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.020
V GS ? Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
160
120
25 °C
125 °C
0.016
0.012
V GS = 4.5 V
8 0
40
0
0.00 8
0.004
0.000
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
60
70
8 0
0
20
40
60
8 0
100
120
15000
I D ? Drain C u rrent (A)
Transconductance
20
I D ? Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
12000
9000
6000
C iss
16
12
8
V DS = 30 V
I D = 110 A
3000
0
C rss
C oss
4
0
0
10
20
30
40
50
60
0
40
8 0
120
160
200
240
2 8 0
320
V DS ? Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
Document Number: 73045
S-80273-Rev. B, 11-Feb-08
Q g ? Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SUM110P08-11L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -80V 11A TO-263 |
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