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参数资料
| 型号： | SUD50P10-43-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 9.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5230pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50P10-43
Vishay Siliconix
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
2
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
t 1
t 2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 65 _ C/W
3. T JM – T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 –2
10 –1
1 10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 –4
10 –3
10 –2
10 –1
1
Square Wave Pulse Duration (sec)
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon Technology and
Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and reliability data, see
http://www.vishay.com/ppg?73445 .
www.vishay.com
6
Document Number: 73445
S–60311—Rev. B, 27-Feb-06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50P10-43L-E3 | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| SUM110N04-2M1P-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V D2PAK |
| SUM110N05-06L-E3 | MOSFET N-CH D-S 55V D2PAK |
| SUM110N06-3M9H-E3 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK |
| SUM110N10-09-E3 | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50P10-43L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SUD50P10-43L-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 37A 136W 43mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD54P04-23-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD70N02-03P | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| SUD70N02-03P-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 70A 3PIN TO-252 - Rail/Tube 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:39 A, 20 V, 0.0053 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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