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参数资料
| 型号： | SUD50P10-43-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 9.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5230pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50P10-43
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
Output Characteristics
35
20
Vishay Siliconix
Transfer Characteristics
30
V GS = 10 thru 6 V
25
20
15
10
5V
16
12
8
T A = 125 _ C
5
4V
4
25 _ C
–55 _ C
0
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
5
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
0.038
On-Resistance vs. Drain Current
V GS = 10 V
7000
6000
Capacitance
C iss
0.037
5000
4000
3000
0.036
2000
0.035
1000
0
C oss
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
0
20
40
60
80
100
10
I D – Drain Current (A)
Gate Charge
2.3
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Junction Temperature
8
I D = 9.4 A
2.0
I D = 9.4 A
6
V DS = 50 V
V DS = 80 V
1.7
1.4
V GS = 10 V, 6 V
4
1.1
2
0
0.8
0.5
0
20
40
60
80
100
120
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q g – Total Gate Charge (nC)
Document Number: 73445
S–60311—Rev. B, 27-Feb-06
T J – Junction Temperature ( _ C)
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50P10-43L-E3 | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SUD70N02-03P | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| SUD70N02-03P-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 70A 3PIN TO-252 - Rail/Tube 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:39 A, 20 V, 0.0053 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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