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参数资料
| 型号： | SUD50P04-13L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50P04-13L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
100
8 0
60
40
20
V GS = 10 thr u 5 V
4 V
100
8 0
60
40
20
T C = 125 °C
0
2 V
3 V
0
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
8 0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
0.05
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
T C = - 55 °C
70
0.04
60
50
25 °C
0.03
40
30
20
125 °C
0.02
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.01
10
0
0.00
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
8 0
100
5000
4500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transconductance
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
4000
3500
3000
2500
2000
1500
C iss
8
6
4
V DS = 20 V
I D = 50 A
1000
C oss
2
500
0
C rss
0
0
8
16
24
32
40
0
8
16
24
32
40
4 8
56
64
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
Document Number: 73009
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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