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参数资料
| 型号： | SUD50N06-07L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.4 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 144nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50N06-07L
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V (BR)DSS (V) r DS(on) ( Ω )
0.0074 at V GS = 10 V
60
0.0088 at V GS = 4.5 V
I D (A) c
96
88
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFETS
? 175 °C Junction Temperature
RoHS
COMPLIANT
D
TO-252
G
Drain Connected to Tab
G
D
S
Top View
Ordering Information: SUD50N06-07L-E3 (Lead (Pb)-free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
60
± 20
Unit
V
Single Pulse Repetitive Avalanche Energy
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Single Pulse Avalanche Current
a
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 100 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
I D
I DM
I AS
E AS
P D
T J , T stg
96 c
67 c
100
45
101
136
- 55 to 175
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Junction-to-Ambient b
Junction-to-Case
t ≤ 10 sec
Steady State
R thJA
R thJC
15
40
0.85
18
50
1.1
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. Surface Mounted on 1" FR4 board.
c. Based on maximum allowable Junction Temperature. Package limitation current is 50 A.
Document Number: 72953
S-71661-Rev. B, 06-Aug-07
www.vishay.com
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PDF描述 |
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