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参数资料
| 型号： | SUD50N06-07L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.4 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 144nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50N06-07L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
120
100
80
60
40
V GS = 10 thru 4 V
120
100
80
60
40
T C = 125 °C
20
3V
20
25 °C
- 55 °C
0
0
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
200
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.015
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
160
25 °C
0.012
120
80
125 °C
0.009
0.006
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
40
0
0.003
0.000
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100
8000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transconductance
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
7000
6000
5000
C iss
8
6
V DS = 30 V
I D = 50 A
4000
3000
4
2000
2
1000
C oss
0
C rss
0
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 72953
S-71661-Rev. B, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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