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参数资料
| 型号： | SUD50N04-8M8P-4GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252 Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 48.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SUD50N04-8M8P-4GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR-ND |
SUD50N04-8m8P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.0
I D = 20 A
100
T J = 25 °C
1.7
V GS = 10 V
10
1.4
1.1
0. 8
0.5
V GS = 4.5 V
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = - 55 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0.030
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 7.2 A
0.025
0.2
0.020
- 0.2
0.015
I D = 1 mA
T J = 125 °C
- 0.6
0.010
I D = 250 μ A
0.005
T J = 25 °C
- 1.0
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Limited by R DS(on) *
400
300
200
T A = 25 °C
100
10
1
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms,
100 ms, DC
100
0
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single P u lse
BVDSS
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1 10 100
www.vishay.com
4
Time (s)
Single Pulse, Junction-to-Ambient
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
Document Number: 68647
S10-0109-Rev. B, 18-Jan-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N06-07L-E3 | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N04-8M8P-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET |
| SUD50N06-07L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET |
| SUD50N06-07L_06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175Celsius MOSFET |
| SUD50N06-07L-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 96A 136W 7.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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