- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录526 > SUD50N03-09P-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 30V TO252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SUD50N03-09P-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 63A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 65.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50N03-09P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
8 0
T C = - 55 °C
0.05
0.04
60
40
25 °C
125 °C
0.03
0.02
V GS = 4.5 V
20
0
0.01
0.00
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
3000
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2500
C iss
8
V DS = 15 V
I D = 30 A
2000
6
1500
4
1000
500
0
C rss
C oss
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
6
12
18
24
30
2.0
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
1.2
0. 8
0.4
0.0
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J - J u nction Temperat u re ( °C )
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 71856
S-80793-Rev. G, 14-Apr-08
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N03-12P-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| SUD50N03-16P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| SUD50N04-05L-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50N04-09H-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50N04-16P-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N03-09P-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 63A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr |
| SUD50N03-10 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-10AP | 功能描述:MOSFET 30V 20A 71W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-10AP-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 71W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-10BP | 功能描述:MOSFET 30V 20A 71W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。