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参数资料
| 型号： | SUD50N04-09H-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 83.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50N04-09H
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S), 175 °C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
V (BR)DSS (V) r DS(on) ( Ω )
40 0.009 at V GS = 10 V
I D (A) c
50
Q g (Typ)
55
? TrenchFET ? Power MOSFETS
? 175 °C Junction Temperature
? High Threshold Voltage At High Temperature
RoHS
COMPLIANT
TO-252
D
Drain Connected to Tab
G
G
D
S
Top View
Ordering Information: SUD50N04-09H-E3 (Lead (Pb)-free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
40
± 20
Unit
V
Single Avalanche Energy
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
a
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 100 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
I D
I DM
I AS
E AS
P D
T J , T stg
50 c
48 c
100
35
61.25
83.3
- 55 to 175
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Junction-to-Ambient b
Junction-to-Case
t ≤ 10 sec
Steady State
R thJA
R thJC
18
40
1.5
22
50
1.8
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. Surface Mounted on 1" FR4 board.
c. Based on maximum allowable Junction Temperature. Package limitation current is 50 A.
Document Number: 72669
S-71661-Rev. E, 06-Aug-07
www.vishay.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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