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参数资料
| 型号： | SUD50N04-09H-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 83.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50N04-09H
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
100
80
60
40
20
0
V GS = 10 thru 7 V
6V
100
80
60
40
20
0
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
120
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.016
0.014
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
25 °C
0.012
80
125 °C
0.010
60
40
0.008
0.006
V GS = 10 V
0.004
20
0.002
0
0.000
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
5000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
4000
3000
2000
1000
C oss
C iss
16
12
8
4
V DS = 20 V
I D = 50 A
C rss
0
0
0
8
16
24
32
40
0
20
40
60
80
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 72669
S-71661-Rev. E, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N04-16P-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N04-10P-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 20A 53.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SUD50N04-16P-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 20A 35.7W 16mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N04-25P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) 175°C MOSFET |
| SUD50N04-25P-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 20A 28.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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