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参数资料
| 型号： | SUD35N05-26L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 55V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 885pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD35N05-26L
Vishay Siliconix
N-Channel 55 V (D-S) 175 °C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
?
TrenchFET ? Power MOSFETS
I D (A)
V DS (V)
55
R DS(on) ( ? )
0.0200 at V GS = 10 V
0.0260 at V GS = 4.5 V
35
30
a
?
?
?
175 °C Rated Maximum Junction Temperature
Low Input Capacitance
Material categorization: For definitions of
compliance please see www.vishay.com/doc?99912
TO-252
Drain Connected to Tab
G
D
G
D
S
Top View
Ordering Information:
SUD35N05-26L-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
55
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 °C) b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 100 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
35
25
80
35
50 c
7.5 b
- 55 to 175
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Junction-to-Ambient b
t ? 10 s
Steady State
R thJA
17
50
20
60
Junction-to-Case
Junction-to-Lead
R thJC
R thJL
2.5
5
3
6
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface mounted on 1" x1" FR4 board, t ? 10 s.
c. See SOA curve for voltage derating.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 71443
S12-1360-Rev. C, 11-Jun-12
For more information please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD35N10 | 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:N-Channel 100 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SUD35N10-26P | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
| SUD35N10-26P-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD35N10-26P-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD35N10-26P-T4GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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