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参数资料
| 型号： | SUD40N02-08-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2660pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 71W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD40N02-08
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S), 175 _ C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( W )
0.0085 @ V GS = 4.5 V
20
0.014 @ V GS = 2.5 V
TO-252
Drain Connected to Tab
I D (A) a
40
40
G
D
FEATURES
D TrenchFET r Power MOSFET
D 175 _ C Maximum Junction Temperature
D 100% R g Tested
G
D
S
Top View
Order Number:
SUD40N02-08
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Symbol
V DS
V GS
Limit
20
" 12
Unit
V
Continuous Drain Current a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 _ C
T C = 100 _ C
T C = 25 _ C
T A = 25 _ C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
40
40
100
40
71
8.3 b, c
- 55 to 175
A
W
_ C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
t v 10 sec.
Symbol
Typical
15
Maximum
18
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b
Maximum Junction-to-Case
Steady State
R thJA
R thJC
40
1.75
50
2.1
_ C/W
Notes
a. Package Limited
b. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board
c. t v 10 sec
Document Number: 71422
S-31724—Rev. B, 18-Aug-03
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SUD40N03-18P | 功能描述:MOSFET 30V 40A 62.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD40N03-18P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 62.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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