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参数资料
| 型号： | SUD40N02-08-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2660pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 71W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD40N02-08
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
2.0
1.6
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 4.5 V
I D = 20 A
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
T J = 150 _ C
1.2
0.8
0.4
10
T J = 25 _ C
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J - Junction Temperature ( _ C)
THERMAL RATINGS
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
50
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
200
Safe Operating Area
40
100
Limited
by r DS(on)
10 m s
100 m s
30
20
10
0
10
1
T C = 25 _ C
Single Pulse
1 ms
10 ms
100 ms
dc
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
T C - Case Temperature ( _ C)
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
2
1
0.1
0.01
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (sec)
www.vishay.com
4
Document Number: 71422
S-31724—Rev. B, 18-Aug-03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N02-09P-E3 | MOSFET N-CH D-S 20V DPAK |
| SUD50N03-06P-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| SUD50N03-09P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| SUD50N03-12P-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| SUD50N03-16P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD40N02-08-E3/BKN | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET; N-Channel 20V 14MOHM@2.5VGS PWM Optimized |
| SUD40N02-3M3P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S), 175 °C MOSFET |
| SUD40N02-3M3P-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 40A 79W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD40N03-18P | 功能描述:MOSFET 30V 40A 62.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD40N03-18P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 62.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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