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参数资料
| 型号： | SUD50N03-06P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50N03-06P
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) 175 _ C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( W )
0.0065 at V GS = 10 V
30
0.0095 at V GS = 4.5 V
TO-252
I D (A) b
84 b
59b
FEATURES
D TrenchFET r Power MOSFET
D 175 _ C Junction Temperature
D Optimized for Low-Side Synchronous Rectifier
Operation
D 100 % R g Tested
APPLICATIONS
D DC/DC Converters
D Synchronous Rectifiers
*
D
Drain Connected to Tab
G
D
S
G
Top View
Ordering Information:
SUD50N03-06P
SUD50N03-06P–E3 (Lead (Pb)–free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
" 20
Unit
V
Continuous Drain Current a
T C = 25 _ C
T C = 100 _ C
I D
84 b
59 b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
Single Pulse Avalanche Current
I DM
I S
I AS
100
25
45
A
Avalanche Energy
L = 0 0.1 1 mH
E AS
101.25
mJ
T C = 25 _ C
88
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 _ C
P D
T J , T stg
8.3 a
–55 to 175
W
_ C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
t v 10 sec
Symbol
Typical
15
Maximum
18
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Case
Steady State
R thJA
R thJC
40
1.4
50
1.7
_ C/W
Notes
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.
b. Based on maximum allowable Junction Temperature, package limitation current is 50 A.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
Document Number: 71844
S-52636—Rev. D, 02-Jan-06
www.vishay.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N03-06P-E3/BKN | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET |
| SUD50N03-07 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-07AP | 功能描述:MOSFET 30V 25A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-07AP | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| SUD50N03-07AP-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 25A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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