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参数资料
| 型号： | SUD50N03-06P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50N03-06P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
120
Transconductance
0.0150
On-Resistance vs. Drain Current
100
80
T C = –55 _ C
25 _ C
0.0125
0.0100
60
125 _ C
0.0075
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
40
20
0
0.0050
0.0025
0.0000
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
4000
I D – Drain Current (A)
Capacitance
10
I D – Drain Current (A)
Gate Charge
3500
3000
2500
C iss
8
6
V DS = 15 V
I D = 50 A
2000
1500
1000
500
0
C rss
C oss
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
2.0
1.5
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 10 V
I D = 20 A
100
Q g – Total Gate Charge (nC)
Source-Drain Diode Forward Voltage
T J = 150 _ C
T J = 25 _ C
1.0
0.5
0.0
10
1
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J – Junction Temperature ( _ C)
Document Number: 71844
S-52636—Rev. D, 02-Jan-06
V SD – Source-to-Drain Voltage (V)
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N03-09P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N03-06P-E3/BKN | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET |
| SUD50N03-07 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-07AP | 功能描述:MOSFET 30V 25A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-07AP | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| SUD50N03-07AP-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 25A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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