- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录526 > SUD50N03-06P-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 30V TO252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SUD50N03-06P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50N03-06P
Vishay Siliconix
THERMAL RATINGS
Maximum Drain Current vs.
30
Ambiemt Temperature
1000
Limited
by r DS(on)
Safe Operating Area
24
18
12
100
10
1
10, 100 m s
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
6
0
0.1
0.01
T A = 25 _ C
Single Pulse
100 s
dc
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
T A – Ambient Temperature ( _ C)
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
0.1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.02
0.05
Single Pulse
0.01
10 –4
10 –3
10 –2
10 –1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (sec)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
Single Pulse
0.01
10 –4
10 –3
10 –2
10 –1
1
10
100
Square Wave Pulse Duration (sec)
www.vishay.com
4
Document Number: 71844
S-52636—Rev. D, 02-Jan-06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N03-09P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| SUD50N03-12P-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| SUD50N03-16P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| SUD50N04-05L-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50N04-09H-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N03-06P-E3/BKN | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET |
| SUD50N03-07 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-07AP | 功能描述:MOSFET 30V 25A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-07AP | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| SUD50N03-07AP-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 25A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。