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参数资料
| 型号： | SUD40N02-08-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2660pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 71W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD40N02-08
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS (T J = 2 5 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ a
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current b
V (BR)DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
I D(on)
V GS = 0 V, I D = 250 m A
V DS = V GS , I D = 250 m A
V DS = 0 V, V GS = " 12 V
V DS = 20 V, V GS = 0 V
V DS = 20 V, V GS = 0 V, T J = 125 _ C
V DS = 5 V, V GS = 4.5 V
V GS = 4.5 V, I D = 20 A
20
0.6
40
0.0068
" 100
1
50
0.0085
V
nA
m A
A
Drain-Source On-State Resistance b
r DS(on)
V GS = 4.5 V, I D = 20 A, T J = 125 _ C
0.0104
0.013
W
V GS = 2.5 V, I D = 20 A
0.011
0.014
Forward Transconductance b
g fs
V DS = 5 V, I D = 40 A
20
S
Dynamic a
Input Capacitance
C iss
2660
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge c
Gate-Source Charge c
Gate-Drain Charge c
C oss
C rss
Q g
Q gs
Q gd
V GS = 0 V, V DS = 20 V, f = 1 MHz
V DS = 10 V, , V GS = 4.5 V, , I D = 40 A
730
375
26
5
7
35
pF
nC
Gate Resistance
Turn-On Delay Time c
R g
t d(on)
1
20
3.7
35
W
Rise Time c
Turn-Off Delay
Time c
t r
t d(off)
V DD = 10 V, R L = 0.25 W
I D ^ 40 A, V GEN = 4.5 V, R G = 2.5 W
120
45
190
70
ns
Fall Time c
t f
20
35
Source-Drain Diode Ratings and Characteristic (T C = 25 _ C)
Pulsed Current
I SM
100
A
Diode Forward
Voltage b
V SD
I F = 100 A, V GS = 0 V
1.2
1.5
V
Source-Drain Reverse Recovery Time
t rr
I F = 40 A, di/dt = 100 A/ m s
35
70
ns
Notes
a. Guaranteed by design, not subject to production testing.
b. Pulse test; pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
c. Independent of operating temperature.
www.vishay.com
2
Document Number: 71422
S-31724—Rev. B, 18-Aug-03
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PDF描述 |
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参数描述 |
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