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参数资料
| 型号： | SUD40N02-08-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2660pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 71W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD40N02-08
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
100
80
Output Characteristics
V GS = 4.5 thru 3 V
100
80
Transfer Characteristics
60
2.5 V
60
40
20
2V
40
20
T C = 125 _ C
0
1, 0.5 V
0
25 _ C
- 55 _ C
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
120
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Transconductance
T C = - 55 _ C
0.020
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Drain Current
80
60
25 _ C
125 _ C
0.015
0.010
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
40
0.005
20
0
0.000
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
I D - Drain Current (A)
4500
3600
Capacitance
C iss
12
9
V GS = 10 V
I D = 40 A
Gate Charge
2700
6
1800
900
0
C rss
C oss
3
0
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
70
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Document Number: 71422
S-31724—Rev. B, 18-Aug-03
Q g - Total Gate Charge (nC)
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N02-09P-E3 | MOSFET N-CH D-S 20V DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SUD40N03-18P | 功能描述:MOSFET 30V 40A 62.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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