参数资料
型号: SUD25N15-52-T4-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 150V TO252
标准包装: 2,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 52 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1725pF @ 25V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 带卷 (TR)
SUD25N15-52
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
20
V GS = 10 V thru 7 V
6V
50
40
30
20
T C = 125 °C
10
5V
10
25 °C
- 55 °C
0
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
60
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
50
T C = - 55 °C
25 °C
0.08
40
30
125 °C
0.06
V GS = 6 V
20
0.04
V GS = 10 V
10
0
0.02
0.00
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
2500
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2000
1500
1000
500
0
C rss
C iss
C oss
16
12
8
4
0
V DS = 75 V
I D = 25 A
0
30
60
90
120
150
0
10
20
30
40
50
60
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 71768
S09-1501-Rev. D, 10-Aug-09
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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