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参数资料
型号： SUD25N15-52-T4-E3
厂商： Vishay Siliconix
文件页数： 6/7页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH D-S 150V TO252
标准包装： 2,000
系列： TrenchFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 25A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 52 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1725pF @ 25V
功率 - 最大： 3W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装： TO-252，（D-Pak）
包装： 带卷 (TR)
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR DPAK (TO-252)
0.224
(5.690)
0.180
(4.572)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
0.055
(1.397)
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Document Number: 72594
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
3
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PDF描述
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参数描述
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SUD30N03-30 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D-PAK
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