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参数资料
| 型号： | SUD19P06-60L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD19P06-60L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.2
1.9
1.6
V GS = 10 V
I D = 10 A
40
1.3
1.0
0.7
0.4
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
THERMAL RATINGS
25
20
100
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
10 μs
*Limited
100 μs
10
by r DS(on)
15
1 ms
10
1
10 ms
100 ms
5
0
0.1
T C = 25 °C
Single Pulse
DC
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
T C - Case Temperat u re (°C)
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
2
1
0.1
0.01
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
*V GS
minimum V GS at which r DS(on) is specified
Safe Operating Area
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73103
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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