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参数资料
| 型号： | SUD19P06-60L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD19P06-60L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
V GS = 10 thr u 5 V
30
25
20
15
10
4 V
25
20
15
10
T C = 125 °C
5
3 V
5
25 °C
- 55 °C
0
0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
35
V DS - D r a i n - t o - S o u r c e V o l t a g e ( V )
Output Characteristics
0.12
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
30
25
20
T C = - 55 °C
25 °C
125 °C
0.10
0.0 8
0.06
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
15
0.04
10
5
0
0.02
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
1800
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transconductance
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1500
1200
C iss
16
V DS = 30 V
I D = 10 A
12
900
8
600
300
0
C rss
C oss
4
0
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 73103
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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