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参数资料
| 型号： | STD5NE10L1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 100V的五（巴西）直| 5A条（丁）|对251AA |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | STD5NE10L1 |
STD5N20
6/8
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD5NE10LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| STD5NE10T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| STD5NK50ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-252AA |
| STD7NB20T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA |
| STD7NK40ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STD5NE10LT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 5.0Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STD5NE10T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| STD5NK40Z | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 400V 3A DPAK |
| STD5NK40Z-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STD5NK40Z-1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N I-PAK |
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