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参数资料
| 型号： | STD7NK40ZT4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 400V五（巴西）直| 5.4AI（四）|对252AA |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | STD7NK40ZT4 |
1/10
July 2002
STD7NB20
STD7NB20-1
N-CHANNEL 200V - 0.3
- 7A DPAK/IPAK
PowerMESH
MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.3
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &
REEL
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an ad-
vanced family of power MOSFETs with outstanding
performances. The new patent pending strip layout
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-
nation structure, gives the lowest R
DS(on)
per area,
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and
unrivalled gate charge and switching characteris-
tics.
APPLICATIONS
I
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25
°
C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100
°
C
I
DM
(
l
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
(
)Pulse width limitedby safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STD7NB20
STD7NB20-1
200 V
200 V
< 0.40
< 0.40
7 A
7 A
Parameter
Value
Unit
200
V
200
±
30
V
V
7
A
5
A
28
A
55
W
0.44
W/
°
C
V/ns
°
C
°
C
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
5.5
T
stg
T
j
Storage Temperature
– 65 to 150
Max. Operating Junction Temperature
150
(1) I
SD
≤
7A, di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Tj
≤
T
jMAX
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
1
3
TO-252
DPAK
3
2
1
IPAK
TO-251
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| STD7NM50N | 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STD7NM50N-1 | 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STD7NM60N | 功能描述:MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STD7NM64N | 功能描述:MOSFET N-CH 640V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:640V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.05 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 |
| STD7NM80 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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