型号: | STD7NK40ZT4 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 400V五(巴西)直| 5.4AI(四)|对252AA |
文件页数: | 4/10页 |
文件大小: | 163K |
代理商: | STD7NK40ZT4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STD7NS20T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA |
STD80 | STD80 0.5 Micron STD80 Standard Cell Library|Data Sheet |
STD83003-1 | BJT |
STD83003T4 | BJT |
STD8N06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STD7NM50N | 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STD7NM50N-1 | 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STD7NM60N | 功能描述:MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STD7NM64N | 功能描述:MOSFET N-CH 640V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):640V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.05 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):363pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 |
STD7NM80 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |