- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录372330 > STD8N10-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STD8N10-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 100V的五（巴西）直| 8A条（丁）|至251 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | STD8N10-1 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
4.3
100
1.5
275
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
o
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
8
A
E
AS
40
mJ
E
AR
10
mJ
I
AR
5.6
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 4 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
V
GS
= 10V
0.21
0.25
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
8
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 4 A
1
3
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
260
90
30
340
120
40
pF
pF
pF
STD8N06
2/10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD8N10L1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
| STD8 | SOCKET DIN FOR TA TIMER |
| STF8 | SOCKET REAR MT FOR TA TIMER |
| STD909T4 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252 |
| STD910T4 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STD8N10L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
| STD8N10L1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
| STD8N60DM2 | 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:375pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 |
| STD8N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STD8N80K5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。