型号: | STD8N10-1 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 100V的五(巴西)直| 8A条(丁)|至251 |
文件页数: | 5/10页 |
文件大小: | 171K |
代理商: | STD8N10-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STD8N10L1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
STD8 | SOCKET DIN FOR TA TIMER |
STF8 | SOCKET REAR MT FOR TA TIMER |
STD909T4 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252 |
STD910T4 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STD8N10L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
STD8N10L1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
STD8N60DM2 | 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):375pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 |
STD8N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STD8N80K5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |