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参数资料
| 型号： | STD90NH02LT4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 20V的五（巴西）直|第60A条（丁）|对252AA |
| 文件页数： | 110/726页 |
| 文件大小： | 2121K |
| 代理商： | STD90NH02LT4 |
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Samsung ASIC
3-49
STD90/MDL90
NR4DH/NR4/NR4D2/NR4D2B/NR4D4
4-Input NOR with 0.5X/1X/2X/2X(Buffered)/4X Drive
Logic Symbol
Cell Data
Switching Characteristics
NR4DH
(Typical process, 25
°
C, 3.3V, t
R
/t
F
= 0.26ns, SL: Standard Load)
Input Load (SL)
NR4D2
A
B
1.8
1.8
Gate Count
NR4D2
2.67
NR4DH
B
0.5
NR4
B
0.9
NR4D2B
B
0.8
NR4D4
B
0.7
A
C
0.5
D
0.5
A
C
0.9
D
0.9
C
1.9
D
2.0
A
C
0.8
D
0.8
A
C
0.7
D
0.8
0.5
0.9
0.8
0.8
NR4DH
1.67
NR4
1.67
NR4D2B
2.67
NR4D4
3.00
Y
A
B
C
D
Path
Parameter
Delay [ns]
SL = 2
Delay Equations [ns]
Group1*
0.319 + 0.265*SL
0.094 + 0.052*SL
0.125 + 0.115*SL
0.067 + 0.034*SL
0.345 + 0.263*SL
0.120 + 0.052*SL
0.175 + 0.118*SL
0.089 + 0.033*SL
0.347 + 0.262*SL
0.145 + 0.053*SL
0.217 + 0.119*SL
0.097 + 0.034*SL
0.344 + 0.263*SL
0.160 + 0.055*SL
0.233 + 0.119*SL
0.097 + 0.035*SL
Group2*
0.314 + 0.267*SL
0.068 + 0.059*SL
0.116 + 0.117*SL
0.076 + 0.032*SL
0.330 + 0.266*SL
0.094 + 0.059*SL
0.176 + 0.118*SL
0.094 + 0.032*SL
0.331 + 0.266*SL
0.124 + 0.059*SL
0.221 + 0.118*SL
0.105 + 0.032*SL
0.331 + 0.266*SL
0.146 + 0.059*SL
0.238 + 0.118*SL
0.108 + 0.032*SL
Group3*
0.327 + 0.266*SL
0.044 + 0.059*SL
0.112 + 0.117*SL
0.074 + 0.032*SL
0.327 + 0.266*SL
0.069 + 0.059*SL
0.180 + 0.118*SL
0.095 + 0.032*SL
0.327 + 0.266*SL
0.097 + 0.059*SL
0.227 + 0.118*SL
0.113 + 0.032*SL
0.327 + 0.266*SL
0.126 + 0.059*SL
0.243 + 0.118*SL
0.127 + 0.032*SL
A to Y
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
0.850
0.198
0.355
0.135
0.870
0.225
0.411
0.155
0.871
0.252
0.455
0.165
0.870
0.270
0.471
0.167
<
B to Y
C to Y
D to Y
*Group1 : SL < 4, *Group2 : =
Truth Table
A
0
B
0
Other States
C
0
D
0
Y
1
0
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PDF描述 |
|---|---|
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