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参数资料
| 型号： | STD90NH02LT4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 20V的五（巴西）直|第60A条（丁）|对252AA |
| 文件页数： | 43/726页 |
| 文件大小： | 2121K |
| 代理商： | STD90NH02LT4 |
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Introduction
1.12 VDD/VSS Rules And Guidelines
Samsung ASIC
1-31
STD90/MDL90
The number of VDD3I/VSSI pad pairs required for a design can be calculated
from the following expression:
The number of VDD3I/VSSI pad pairs =
where,
G = The core (excluding hard macro blocks) size in the gate counts
S = The switching ratio (typically = 0.1)
F = Operating frequency (MHz)
Pi = Characterized current for the i-th hard macro block (mA/MHz)
Fi = Operating frequency for the i-th hard macro block (MHz)
Iem = Current limit per VDD/VSS pad pairs based on ElectroMigration
rule (100mA)
For reliable device operation and minimize IR voltage drop, minimum number of
VDD3I/VSSI power pad pairs is 4.
Extra power may be needed for the demanding high power macro blocks
(SRAM, analog block...).
1.13.3 VDD3P/VSSP ALLOCATION GUIDELINES.
These guidelines ensure that an adequate input threshold voltage margin is
maintained during a switching.
The number of VDD3P/VSSP pads required for a design can be calculated
from the following expressions:
In above expression, Ieq_p =
∑
(Average current of input/output buffers and bi-
direction pre-drivers at maximum operational I/O frequency.) [mA] (Refer Table
1-11)
Table 1-11(a). Ieq_p (at F = 100MHz) for Each Type of Input Buffer
Input Buffer Type
Ieq_p_in (mA)
CMOS
0.6
CMOS Schmitt
0.7
0.001
0.2555 S 0.0147
+
(
)
×
G
F
×
Pi Fi
(
)
i
N_macro
∑
+
×
l
em
round up
–
Number_ of_VDD3P/VSSP_pad-pairs
l
l
em
------------round
up
–
=
where
N_input is the number of input buffers used,
N_output is the number of output buffers used,
N_bi is the number of bidirectional buffers used,
F is the operating frequency in MHz,
S
out
is the output mode ratio of bidirectional buffers (typically 0.5),
I
em
= Current limit per VDD/VSS pad pairs based on ElectroMigration rule.
(100mA)
I
eq_p
I
eq_p_in
F
i
---------
×
i
N_input
∑
I
j_eq_p_out
F
j
---------
×
j
N_output
∑
I
k_eq_p_in
F
k
100
---------
×
1 S
out
–
(
)
k
N_bi
∑
I
k_eq_p_out
F
k
100
---------
×
S
out
×
+
+
+
=
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STDH150 | Leaded Cartridge Fuse; Current Rating:31.25mA; Voltage Rating:250V; Fuse Terminals:Axial Lead; Fuse Type:Time Delay; Voltage Rating:250V; Body Material:Ceramic; Diameter:6.985mm; Fuse Size/Group:1/4 x 1-1/4 " RoHS Compliant: Yes |
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| STE100 | PCI 10/100 ETHERNET CONTROLLER WITH INTEGRATED PHY 5V |
| STE10 | PCI 10/100 ETHERNET CONTROLLER WITH INTEGRATED PHY 5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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