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参数资料
| 型号： | STGP7NB60FD |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT |
| 中文描述： | N沟道第7A - 600V到- 220 / D2PAK封装PowerMESH？ IGBT的 |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | STGP7NB60FD |
STGP7NB60FD - STGB7NB60FD
2/11
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
CM
( )
Collector Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
( )
Pulse width limited by safe operating area
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
I
CES
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
V
CE
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GE(th)
V
CE(sat)
Parameter
Value
Unit
600
V
±20
V
14
A
7
A
56
A
80
W
0.64
W/°C
– 55 to 150
°C
150
°C
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
1.56
62.5
°C/W
°C/W
Test Conditions
I
C
= 250 μA, V
GE
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
CE
= Max Rating, T
C
= 25 °C
50
μA
100
μA
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
GE
= 15V, I
C
= 7 A
V
GE
= 15V, I
C
= 7 A, Tj =125°C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
5
V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
2.0
2.4
V
1.6
V
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PDF描述 |
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