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参数资料
| 型号： | STGW12NB60HD |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N沟道12A条- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | STGW12NB60HD |
STGW12NB60HD
N-CHANNEL 12A - 600V TO-247
PowerMESH
IGBT
PRELIMINARY DATA
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGEDRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGEDROP (V
CESAT
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION
I
OFFLOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
CO-PACKAGEDWITH TURBOSWITCH
ANTIPARALLELDIODE
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based
on a patented strip layout, STMicroelectronics
has designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs,
perfomances. The suffix ”H” identifies a family
optimized to achieve very low switching times for
high frequencyapplications(<120kHz).
with
outstanding
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
SMPSAND PFC IN BOTH HARDSWITCH
AND RESONANTTOPOLOGIES
I
UPS
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1999
1
23
TO-247
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
)
P
tot
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
600
±
20
24
V
V
A
12
A
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
96
A
120
W
0.96
W/
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
o
C
o
C
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGW12NB60HD
600 V
< 2.8 V
30 A
1/8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGW12NB60H | N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW20NB60HD | N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
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| STGW20NB60H | N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW20NB60K | N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STGW15H120DF2 | 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 开关能量:380μJ（开），370μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:231ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 |
| STGW15H120F2 | 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 开关能量:380μJ（开），370μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 |
| STGW15M120DF3 | 功能描述:IGBT 1200V 30A 259W 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 开关能量:550μJ（开），850μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns 测试条件:600V，15A，22 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:270ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 |
| STGW15S120DF3 | 功能描述:IGBT 1200V 15A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.05V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 开关能量:540μJ（开），1.38mJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/140ns 测试条件:600V，15A，22 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:270ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 |
| STGW19NC60H | 功能描述:IGBT 晶体管 19 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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