型号: | STGW12NB60HD |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
中文描述: | N沟道12A条- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的 |
文件页数: | 6/8页 |
文件大小: | 90K |
代理商: | STGW12NB60HD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STGW12NB60H | N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
STGW20NB60HD | N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
STGW20NB60KD | N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT |
STGW20NB60H | N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
STGW20NB60K | N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STGW15H120DF2 | 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.6V @ 15V,15A 功率 - 最大值:259W 开关能量:380μJ(开),370μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:67nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/111ns 测试条件:600V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):231ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 |
STGW15H120F2 | 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.6V @ 15V,15A 功率 - 最大值:259W 开关能量:380μJ(开),370μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:67nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/111ns 测试条件:600V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 |
STGW15M120DF3 | 功能描述:IGBT 1200V 30A 259W 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,15A 功率 - 最大值:259W 开关能量:550μJ(开),850μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:226nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/122ns 测试条件:600V,15A,22 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):270ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 |
STGW15S120DF3 | 功能描述:IGBT 1200V 15A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.05V @ 15V,15A 功率 - 最大值:259W 开关能量:540μJ(开),1.38mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/140ns 测试条件:600V,15A,22 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):270ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 |
STGW19NC60H | 功能描述:IGBT 晶体管 19 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |