型号: | STGW20NB60H |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
中文描述: | N沟道20A条- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的 |
文件页数: | 1/8页 |
文件大小: | 85K |
代理商: | STGW20NB60H |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STGW20NB60K | N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT |
STGW30NB60HD | N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
STGW50NB60H | N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
STGW50NB60M | N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT |
STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STGW20NB60HD | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
STGW20NB60K | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 40A 3PIN TO-247 - Rail/Tube |
STGW20NB60KD | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
STGW20NC60V | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
STGW20NC60VD | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |