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参数资料
| 型号： | STGW20NB60K |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT |
| 中文描述： | N沟道20A条- 600V的-到247短路IGBT的证明PowerMESH⑩ |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | STGW20NB60K |
1/8
May 2003
STGW20NB60K
N-CHANNEL 20A - 600V
- TO-247
SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
LOW ON-LOSSES
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION
I
SHORT CIRCUIT RATED
I
LATCH CURRENT FREE OPERATION
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs, with outstanding
performances. The suffix “K” identifies a family
optimized for high frequency motor control
applications with short circuit withstand capability.
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
U.P.S.
I
WELDING EQUIPMENTS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Emitter-Collector Voltage
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
C
Collector Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
CM
( )
Collector Current (pulsed)
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGW20NB60K
600 V
< 2.8
V
20 A
Parameter
Value
Unit
600
V
20
V
±20
V
40
A
20
A
80
A
μ
s
W
Tsc
Short Circuit Withstand
10
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
150
1
W/°C
T
stg
T
j
Storage Temperature
–65 to 150
°C
Max. Operating Junction Temperature
150
°C
TO-247
1
2
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGW30NB60HD | N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW50NB60H | N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW50NB60M | N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT |
| STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT |
| STGY50NB60HD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STGW20NB60KD | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGW20NC60V | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGW20NC60VD | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGW20V60DF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V 在25 C的连续集电极电流:40 A 栅极—射极漏泄电流:250 nA 功率耗散:167 W 最大工作温度:+ 175 C 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGW20V60F | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube |
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