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参数资料
| 型号： | STGW50NB60H |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N沟道50A条- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | STGW50NB60H |
STGW50NB60H
N-CHANNEL 50A - 600V TO-247
PowerMESH
IGBT
PRELIMINARY DATA
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGE DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
CESAT
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based
on a patented strip layout, STMicroelectronics
has designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs,
perfomances. The suffix "H" identifies a family
optimized to achieve very low switching times for
high frequency applications (<120kHz).
with
outstanding
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
WELDING EQUIPMENTS
I
SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCH
AND RESONANT TOPOLOGIES
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Emitter-Collector Voltage
600
V
20
±
20
100
V
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
V
A
I
C
50
A
I
CM
(
)
P
tot
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
400
A
250
W
2
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
CES
600 V
V
CE(sat)
< 2.8 V
I
C
STGW50NB60H
50 A
June 1999
123
TO-247
1/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGW50NB60M | N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT |
| STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT |
| STGY50NB60HD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT |
| STH4N90 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STH4N90FI | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STGW50NB60M | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT |
| STGW50NC60W | 功能描述:IGBT 晶体管 Ultra fast series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGW60H60DLFB | 功能描述:IGBT 600V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 开关能量:626μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/160ns 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 |
| STGW60H65DF | 功能描述:IGBT 晶体管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGW60H65DFB | 功能描述:IGBT 650V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 开关能量:1.09mJ（开），626μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:60ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 |
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