参数资料
型号: STK11C68-5K55M
元件分类: SRAM
英文描述: 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 55 ns, CDIP28
封装: 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
文件页数: 6/12页
文件大小: 280K
代理商: STK11C68-5K55M
STK11C68
March 2006
3
Document Control # ML0007 rev 0.2
SRAM READ CYCLES #1 & #2
(VCC = 5.0V + 10%)
Note f:
W must be high during SRAM READ cycles and low during SRAM WRITE cycles.
Note g:
I/O state assumes E, G < VIL and W > VIH; device is continuously selected.
Note h:
Measured
± 200mV from steady state output voltage.
SRAM READ CYCLE #1: Address Controlledf, g
SRAM READ CYCLE #2: E Controlledf
NO.
SYMBOLS
PARAMETER
STK11C68-25
STK11C68-35
STK11C68-45
STK11C68-55
UNITS
#1, #2
Alt.
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
1
tELQV
tACS
Chip Enable Access Time
25
35
45
55
ns
2
tAVAV
tRC
Read Cycle Time
25
35
45
55
ns
3
tAVQV
tAA
Address Access Time
25
35
45
55
ns
4
tGLQV
tOE
Output Enable to Data Valid
10
15
20
25
ns
5
tAXQX
tOH
Output Hold after Address Change
5
ns
6
tELQX
tLZ
Chip Enable to Output Active
5
ns
7
tEHQZ
tHZ
Chip Disable to Output Inactive
10
13
15
25
ns
8
tGLQX
tOLZ
Output Enable to Output Active
0
ns
9
tGHQZ
tOHZ
Output Disable to Output Inactive
10
13
15
25
ns
10
tELICCH
tPA
Chip Enable to Power Active
0
ns
11
tEHICCL
tPS
Chip Disable to Power Standby
25
35
45
55
ns
DATA VALID
tAXQX
tAVQV
DQ (DATA OUT)
ADDRESS
tAVAV
tELQX
STANDBY
DATA VALID
tGLQX
tGLQV
DQ (DATA OUT)
E
ADDRESS
tAVAV
G
ICC
ACTIVE
tELQV
tELICCH
tEHICCL
tEHQZ
tGHQZ
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