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参数资料
| 型号： | STM32L151C8U6TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, QCC48 |
| 封装： | 7 X 7 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFQFPN-48 |
| 文件页数： | 69/106页 |
| 文件大小： | 1417K |
| 代理商： | STM32L151C8U6TR |
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STM32L151xx, STM32L152xx
Electrical characteristics
Doc ID 17659 Rev 1
High-speed internal (HSI) RC oscillator
Low-speed internal (LSI) RC oscillator
Table 26.
HSI oscillator characteristics(1)
1.
1.65
≤V
DD ≤3.6 V, TA = -40 to 105 °C unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
fHSI
Frequency
VDD = 3.0 V
16
MHz
TRIM
HSI user-trimmed
resolution
-40 °C
≤TA ≤105 °C
± 0.4
TBD
%
ACCHSI
Accuracy of the HSI
oscillator
Factory-
calibrated(2)
2.
Based on characterization, not tested in production
TA = - 40 to 105 °C
TBD
±1TBD
%
TA = -10 to 85 °C
TBD
±1TBD
%
TA = 0 to 70 °C
TBD
±1TBD
%
TA = 25 °C
TBD
±1TBD
%
tSU(HSI)
HSI oscillator
startup time
3.7
TBD
s
IDD(HSI)
HSI oscillator power
consumption
100
TBD
A
Table 27.
LSI oscillator characteristics (1)
1.
VDD = 3 V, TA = -40 to 105 °C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
fLSI
(2)
2.
Based on characterization, not tested in production.
LSI frequency
TBD
38
TBD
kHz
DLSI
LSI oscillator frequency drift(3)
0°C
≤TA ≤ 85°C
3.
This is a deviation for an individual part, once the initial frequency has been measured.
TDB
%
tsu(LSI)
(4)
4.
Guaranteed by design, not tested in production.
LSI oscillator startup time
200(5)
5.
Guaranteed by design, not tested in production.
s
IDD(LSI)
LSI oscillator power consumption
TBD
A
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