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参数资料
型号： STM32L152VBT6DTR
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
封装： 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LQFP-100
文件页数： 55/106页
文件大小： 1417K
代理商： STM32L152VBT6DTR
Electrical characteristics
STM32L151xx, STM32L152xx
52/106
Doc ID 17659 Rev 1
Table 15.
Current consumption in Sleep mode
Symbol Parameter
Conditions
fHCLK
Typ
Max(1)
Unit
55 °C 85 °C 105 °C
IDD
(Sleep)
Supply
current in
Sleep
mode,
code
executed
from RAM,
Flash
switched
OFF
HSE = 16 MHz(2)
(PLL ON for fHCLK
>16 MHz)
Range 3,
VCORE=1.2 V
VOS[1:0] = 11
1 MHz
TBD
A
2 MHz
TBD
4 MHz
TBD
TBD(3)
Range 2,
VCORE=1.5 V
VOS[1:0] = 10
4 MHz
TBD
8 MHz
TBD
16 MHz
TBD
Range 1,
VCORE=1.8 V
VOS[1:0] = 01
8 MHz
TBD
16 MHz
TBD
32 MHz
TBD
HSI clock source
(16 MHz)
Range 3,
VCORE=1.2 V
VOS[1:0] = 11
4 MHz
TBD
Range 2,
VCORE=1.5 V
VOS[1:0] = 10
16 MHz
TBD
Range 1,
VCORE=1.8 V
VOS[1:0] = 01
32 MHz
TBD
MSI clock, 64 kHz
Range 3,
VCORE=1.2 V
VOS[1:0] = 11
64 kHz
TBD
MSI clock, 512 kHz
512 kHz
TBD
MSI clock, 4 MHz
4 MHz
TBD
Supply
current in
Sleep
mode,
code
executed
from Flash
HSE = 16 MHz(2)
(PLL ON for fHCLK
above 16 MHz)
Range 3,
VCORE=1.2 V
VOS[1:0] = 11
1 MHz
TBD
2 MHz
TBD
4 MHz
330
TBD
Range 2,
VCORE=1.5 V
VOS[1:0] = 10
4 MHz
TBD
mA
8 MHz
TBD
16 MHz
1.1
TBD
Range 1,
VCORE=1.8 V
VOS[1:0] = 01
8 MHz
TBD
16 MHz
1.39
TBD
32 MHz
2.61
TBD
HSI clock source
(16 MHz)
Range 3,
VCORE=1.2 V
VOS[1:0] = 11
4 MHz
TBD
Range 2,
VCORE=1.5 V
VOS[1:0] = 10
16 MHz
1
TBD
Range 1,
VCORE=1.8 V
VOS[1:0] = 01
32 MHz
2.16
TBD
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PDF描述
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