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参数资料
| 型号： | STM8L151G4U3 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 16 MHz, RISC MICROCONTROLLER, QCC28 |
| 封装： | 4 X 4 MM, ROHS COMPLIANT, WFQFPN-28 |
| 文件页数： | 102/109页 |
| 文件大小： | 2050K |
| 代理商： | STM8L151G4U3 |
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Electrical parameters
STM8L151xx, STM8L152xx
Doc ID 15962 Rev 3
tS
Sampling time
VAIN on PF0 fast
channel
VDDA < 2.4 V
0.43(4)(5)
s
VAIN on PF0 fast
channel
2.4 V
≤VDDA≤ 3.6 V
0.22(4)(5)
s
VAIN on slow channels
VDDA < 2.4 V
0.86(4)(5)
s
VAIN on slow channels
2.4 V
≤VDDA≤ 3.6 V
0.41(4)(5)
s
tconv
12-bit conversion time
12 + tS
1/fADC
16 MHz
1(4)
s
tWKUP
Wakeup time from OFF
state
3s
tVREFINT
Internal reference
voltage startup time
refer to
ms
1.
Data guaranteed by design, not tested in production.
2.
The current consumption through VREF is composed of two parameters:
- one constant (max 300 A)
- one variable (max 400 A, only during sampling time) + 2 first conversion pulses.
So, peak consumption is 300+400 = 700 A and average consumption is 300 + [(4 sampling + 2) /16] x 400 = 450 A at
1Msps
3.
VREF- or VDDA must be tied to ground.
4.
Minimum sampling and conversion time is reached for maximum Rext = 0.5 k
Ω.
5.
Value obtained for continuous conversion on fast channel.
Table 48.
ADC1 characteristics
Symbol
Parameter (1)
Conditions
Min (1)
Typ(1)
Max(1)
Unit
Table 49.
ADC1 accuracy with VDDA = 3.3 V to 2.5 V
Symbol
Parameter
Conditions
Typ
Max(1)
Unit
DNL
Differential non linearity
fADC = 16 MHz
1
1.6
LSB
fADC = 8 MHz
1
1.6
fADC = 4 MHz
1
1.5
INL
Integral non linearity
fADC = 16 MHz
1.2
2
fADC = 8 MHz
1.2
1.8
fADC = 4 MHz
1.2
1.7
TUE
Total unadjusted error
fADC = 16 MHz
2.2
3.0
fADC = 8 MHz
1.8
2.5
fADC = 4 MHz
1.8
2.3
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