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参数资料
| 型号： | STP1100BGA-100 |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272 |
| 封装： | PLASTIC, BGA-272 |
| 文件页数： | 15/32页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | STP1100BGA-100 |
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22
STP1100BGA
Preliminary
SPARC v8 32-Bit Microprocessor With PCI/DRAM Interfaces
microSPARC-IIep
December 1997
Sun Microsystems, Inc
ELECTRICAL SPECIFICATIONS [1]
Note:
The following AC and DC characteristics are preliminary and for reference only.
1. These electrical specification numbers are preliminary, and are shown for reference only and are subject to
change.
1. Operation of the device at values in excess of those listed above may result in degradation or destruction of the device. Extended operation at the
absolute maximum ratings may degrade the reliability of the product. All voltages are dened with respect to ground.
1. The microSPARC-IIep is designed with TTL compatible I/O.
Absolute Maximum Ratings [1]
Parameter
Symbol
Min
Max
Units
Supply voltage
VDD1
-0.5
4
V
Reference Voltage
VDD2, VDD3
PLL supply voltage
VDD4
Input voltage (any pin)
VIN
-0.5
V
Input clamp current (any pin)
II
-20
20
mA
Operating junction temperature
TJ
0
105
C
Storage temperature
TS
-40
125
C
Static discharge voltage
–
2000
V
TABLE 4: Recommended Operating Conditions: [1]
Parameter
Symbol
100 MHz
Units
Core supply voltage
VDD1
3.14
3.3
3.47
V
I/O reference voltage
PCI
VDD2
3.3/5.0
V
MEMDATA
VDD3
3.3/5.0
V
PLL voltage
supply
VDD4
3.14
3.3
3.47
V
ground
VSS4
-0.2
0
0.2
V
Ground
VSS1
-0.2
0
0.2
V
DC I/O voltage
PCI
0
–
VDD2
V
MEMDATA
0
–
VDD3
V
Operating case temperature
TC
0
–
80
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STP110N8F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3435pF @ 40V 功率 - 最大值:170W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
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