- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98149 > STP1100BGA-100 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STP1100BGA-100 |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272 |
| 封装： | PLASTIC, BGA-272 |
| 文件页数： | 2/32页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | STP1100BGA-100 |
第1页当前第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页
10
STP1100BGA
Preliminary
SPARC v8 32-Bit Microprocessor With PCI/DRAM Interfaces
microSPARC-IIep
December 1997
Sun Microsystems, Inc
TIMING CONSIDERATIONS
1. See
Table 2 for DIV_CTL settings and Table 3 for SP_SEL settings.
1. The timing diagrams in
Figure 4 through Figure 13 reect a SP_SEL[2:0] of 010 for 100 MHz operation.
TABLE 1: Timing Settings for DRAM Speeds [1]
Core Frequency
100 MHz
PCI Frequency
25 MHz
33 MHz
60ns DRAM
DIV_CTL[1:0]=10
SP_SEL[2:0]=010
DIV_CTL[1:0]=01
SP_SEL[2:0]=010
TABLE 2: Processor Interface Timing
DIV_CTL[1:0]
Multiply Factor of EXT_CLK1
01
x3
10
x4
11
x5
00
x6
TABLE 3: Memory Interface Timing
Signal
Description
(SP_SEL[2:0] = 1xx reserved)
Number of Cycles [1]
SP_SEL[2:0]
= 000
SP_SEL[2:0]
= 001
SP_SEL[2:0]
= 010
SP_SEL[2:0]
= 011
t_ASC
Column address sent before CAS
1
3
4
CAS-before-RAS (refresh)
1.5
2.5
3.5
t_CAS
CAS active (read)
3
4
5
CAS active (write)
2
3
t_CP
CAS precharge (read)
1
2
CAS precharge (write)
2
3
t_DH, t_WCH, t_DH
Data, WE, parity hold after CAS
2
3
t_DS, t_WCS, t_DS
Data, WE, parity sent before CAS
1
2
t_RAS
RAS active (read)
7.5
8.5
9.5
11.5
RAS active (write)
5.5
8.5
9.5
RAS active (refresh)
6.5
8.5
t_RP
RAS precharge
3.5
4.5
5.5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP2001QFP | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP16 |
| STP2011PGA | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PPGA279 |
| STP2024PQFP | 25 MHz, DMA CONTROLLER, PQFP120 |
| STP2200ABGA-100 | 256M X 8, DRAM CONTROLLER, PBGA225 |
| STP2202ABGA | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA320 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP110N10F7 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP110N55F6 | 功能描述:MOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP110N8F6 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9130pF @ 40V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
| STP110N8F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3435pF @ 40V 功率 - 最大值:170W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
| STP1141 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:STP1141/1151 系列超低压差，带开关端集成稳压器 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。